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起有效复合中心的杂质能级必须位于()
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起有效复合中心的杂质能级必须位于()
正确答案:Ei或禁带中心线
Tag:
半导体物理学
能级
中心线
时间:2024-02-17 10:01:57
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纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质,当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个(),这种杂质称()杂质;相应的半导体称()型半导体。
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在存在自建电场的半导体中产生(),可制成()。
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已知硅的Eg为1.12eV,则本征吸收的波长限为();Ge的Eg为0.67eV,则本征吸收的波长限为()。
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有效陷阱中心位置靠近()
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光生载流子发生辐射复合时,伴随着(),这就是半导体的()现象,利用这种现象可制成()。
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半导体吸收光子后产生光生载流子,在均匀半导体中是()增加,可制成()。
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有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用,可通过()实验来测量。
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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的(),引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的()的作用。
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两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带()电,达到热平衡后两者的费米能级()。
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复合中心的作用是()
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掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。()
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