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n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
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n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
正确答案：Ec或上|Ei或下
Tag：
半导体物理学
费米
能级
时间：2024-02-17 10:02:01
上一篇：
PN结电容可分为（）和（）两种。
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若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
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半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
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在存在自建电场的半导体中产生（），可制成（）。
3.
起有效复合中心的杂质能级必须位于（）
4.
纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
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已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
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有效陷阱中心位置靠近（）
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光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。
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电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）
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半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
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有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。
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简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。
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两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。
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间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。
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复合中心的作用是（）
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将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。（）
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费米能级是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。（）
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在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（）
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半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
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掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（）