关于驱动电路的电气隔离，表述正确的是下面哪个？
关于驱动电路的电气隔离，表述正确的是下面哪个？
A.电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用光隔离。
B.电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用绝缘材料隔离。
C.电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
D.电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用磁隔离。
正确答案：电力电子器件驱动电路的电气隔离环节一般采用光隔离或磁隔离。
相关答案
- 1.绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
- 2.电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流不利。
- 3.N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G－－栅极、D－－漏极、S－－源极。
- 4.电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。
- 5.GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。
- 6.晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
- 7.晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。
- 8.电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。
- 9.二极管的基本工作原理就在于PN结的单向导电性。
- 10.按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。