首页
晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
电力电子技术
器件
晶闸管
时间：2022-01-28 15:56:14
上一篇：
绝缘栅双极晶体管输出特性分为三个区域：正向阻断区、有源区和饱和区。
下一篇：
关于驱动电路的电气隔离，表述正确的是下面哪个？
相关答案
1.
电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流不利。
2.
N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G－－栅极、D－－漏极、S－－源极。
3.
电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。
4.
GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。
5.
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
6.
晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。
7.
电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。
8.
二极管的基本工作原理就在于PN结的单向导电性。
9.
按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
10.
信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。
热门答案
1.
有关功率集成电路，下面哪个表述是正确的？
2.
如下所述，有关新型半导体器件，表述正确的是：
3.
关于绝缘栅双极晶体管开关速度，表述正确的是：
4.
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？
5.
有关GTR的二次击穿现象表述正确的是：
6.
如下所述，门极可关断晶闸管GTO半导体结构是：
7.
对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个？
8.
如下所述，关于晶闸管开通与关断，表述正确的是：
9.
如下所述，晶闸管正向特性表述正确的是：
10.
已经导通的晶闸管是如何关断的？