晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
晶闸管、GTO、GTR是单极型器件；电力MOSFET是双极型器件；IGBT、MCT、IGCT是复合型器件。
A.正确
B.错误
正确答案：错误
相关答案
- 1.电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流不利。
- 2.N沟道增强型电力MOSFET，引出3个极，分别为G－－栅极、D－－漏极、S－－源极。
- 3.电力晶体管也称为GTR，与普通的双极结型晶体管相比，耐压低但电流大。
- 4.GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构，引出3个极。
- 5.晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。
- 6.晶闸管反向阻断状态时，如果有触发电流IG，则晶闸管反向导通。
- 7.电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。
- 8.二极管的基本工作原理就在于PN结的单向导电性。
- 9.按照器件能够被控制的程度，分为以下三类：半控型器件、全控型器件、不可控器件。
- 10.信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。