首页
N沟道增强型电力MOSFET,引出3个极,分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
N沟道增强型电力MOSFET,引出3个极,分别为G--栅极、D--漏极、S--源极。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
Tag:
电力电子技术
栅极
沟道
时间:2022-01-28 15:56:13
上一篇:
电力晶体管也称为GTR,与普通的双极结型晶体管相比,耐压低但电流大。
下一篇:
电力场效应晶体管的通态电阻具有负温度系数,对器件并联时的均流不利。
相关答案
1.
GTO与普通晶闸管都是PNPN四层半导体结构,引出3个极。
2.
晶闸管断态重复峰值电压是指在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器件上的正向峰值电压。
3.
晶闸管反向阻断状态时,如果有触发电流IG,则晶闸管反向导通。
4.
电力二极管额定电流指允许通过电力二极管电流的有效值。
5.
二极管的基本工作原理就在于PN结的单向导电性。
6.
按照器件能够被控制的程度,分为以下三类:半控型器件、全控型器件、不可控器件。
7.
信息电子技术和电力电子技术都属于电子技术。
8.
有关功率集成电路,下面哪个表述是正确的?
9.
如下所述,有关新型半导体器件,表述正确的是:
10.
关于绝缘栅双极晶体管开关速度,表述正确的是:
热门答案
1.
有关MOSFET的通态电阻,表述正确的是哪个?
2.
有关GTR的二次击穿现象表述正确的是:
3.
如下所述,门极可关断晶闸管GTO半导体结构是:
4.
对晶闸管额定电流表述正确的是下面哪个?
5.
如下所述,关于晶闸管开通与关断,表述正确的是:
6.
如下所述,晶闸管正向特性表述正确的是:
7.
已经导通的晶闸管是如何关断的?
8.
如下所述,晶闸管门极的控制作用,表述正确的是:
9.
如下所述,晶闸管是如何导通的:
10.
电力电子器件同处理信息的电子器件相比,下面描述正确的是: