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沟道
沟道
1.
N沟道MOS管的导电沟道由()组成,衬底是P型半导体。
2.
在水力侵蚀地区,地方各级人民政府及其有关部门应当组织单位和个人,以天然沟壑及其两侧山坡地形成的小流域为单元,因地制宜地采取()等措施,进行坡耕地和沟道水土流失综合治理。
3.
UGS<0时能工作在恒流区的场效应管有哪些?
4.
当NMOS器件工作在饱和区时,沟道出于()状态。
5.
某场效应管的IDSS为-6MA,而IDQ自漏极流出,大小为8MA,则该管是()。
6.
MOSFET器件尺寸按比例缩小时,电源电压难以跟上节奏,还得保持为5V或3.3V,于是平均电场强度增加了,引起了许多二阶效应;同时当管子尺寸很小时,这些小管子的边缘相互靠在一起,产生了非理想电场,也严重地影响了它们的特性。因此随着集成度的增加,IC设计分析电路时,需要考虑器件模型的二阶效应。下列说法错误的是()。
7.
MOSFET的主要噪声源有热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的;闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的。下列说法正确的有()。
8.
NMOS门电路全部有N沟道MOS管构成,其基本形式为。
9.
开启电压UGS(th)<0的是()场效应管。
10.
对于N沟道增强型MOSEFT管,一般把在漏源电压作用下开始导电的栅源电压称为()。
11.
N沟道MOSFET的关断条件是,在栅极和源极之间施加一个V左右的向电压。
12.
依据新修订的《甘肃省实施<中华人民共和国防洪法>办法》,防治洪水应当蓄泄兼施,充分发挥水库、湖泊、洼淀和沟道截流工程的调蓄洪水功能;实行封山育林,退耕还林,扩大林草植被,涵养水源,加强水土流失的综合治理。
13.
电力电缆敷设方式不包括。()
14.
防止和控制冷凝的措施?
15.
根据导电沟道的不同,场效应管可分为
16.
N沟道结型场效应管的夹断电压VP为()
17.
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为()。
18.
P沟道结型场效应管的夹断电压Vp为()
19.
下列关于MOS模型的说法正确的有()
20.
下列关于沟道长度调制效应说法正确的是()
21.
下列对器件尺寸参数描述正确的有()
22.
下列关于MOS版图说法不正确的是()
23.
已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区,①、②、③与G、S、D的对应关系描述正确的是()。
24.
设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()状态。
25.
设某增强型N沟道MOS管UGS(th)=3V,试问当它的栅源电压uGS=2.5V时,该管处于()区。
26.
N沟道增强型MOSFET的开启电压()。
27.
水土保持规划在实施进度的安排上,不同部位的实施顺序应该尽量是:
28.
沟道比降主要取决于沿线的地形、土质、上下级排水沟水位衔接条件和容泄区水位高低等。
29.
山丘区布置排水沟道时常需沿地形较高的一侧布置山坡截流沟,用以拦截和排泄山洪,确保灌排区安全。
30.
在土质较粘重的易旱、易涝、易渍地区,控制地下水位要求的排水沟间距较小,除排水农沟外,尚须在农田内部布置1~2级田间排水沟道。
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