MOSFET器件尺寸按比例缩小时，电源电压难以跟上节奏，还得保持为5V或3.3V，于是平均电场强度增加了，引起了许多二阶效应；同时当管子尺寸很小时，这些小管子的边缘相互靠在一起，产生了非理想电场，也严重地影响了它们的特性。因此随着集成度的增加，IC设计分析电路时，需要考虑器件模型的二阶效应。下列说法错误的是（）。

A、由于有制造误差，真正器件中的L、W并不是原先版图上所定义的L、W，导致有效栅长栅宽变小。

B、电场强度E增加时，迁移率μ是减小的。而且对高性能器件而言，载流子往往以饱和速度通过沟道。

C、沟道很短之后，边沿效应对器件特性有重大影响，短沟道效应导致阈值电压的增大。

D、沟道很窄之后，边沿效应对器件特性有重大影响，狭沟道效应导致阈值电压的增大。

E、二阶效应导致Mos管尺寸缩小后，其性能对于工艺控制比较敏感，更精确的分析要采用三维空间电荷区近似，也就是说栅长和栅宽的定义不确切，不符合实际情况了。

正确答案：沟道很短之后，边沿效应对器件特性有重大影响，短沟道效应导致阈值电压的增大。