栅极题库_栅极答案

1.为了减小栅极和源极区的串联电阻，通常在器件各区域完成后增加一道硅化工艺以降低接触电阻，以下不是硅化材料的是（）。
2.MOS传输门的控制端为晶体管的（），输入和输出端为晶体管的（）和（）。
3.对比三极管与场效应管，叙述错误的是（）
4.在深亚微米微光刻工艺中，如果要得到小尺寸的栅极或CD，需要的是（）
5.晶体三极管基本放大电路三种接法分别为共发射极、共基极和（）。
6.以下哪些电力电子器件属于新型的全控型器件？
7.在共源极、共漏极、共栅极三种放大电路中，（）的输出与输入的相位关系是反相的。
8.MOS管，可近似为由两个背靠背的pn结（漏极和衬底基极间的pn结、源极和衬底基极间的pn结）和一个电容器（栅极和栅氧化层和紧邻的衬底部分形成的电容）组成。其中控制导电沟道的核心是（）。
9.MOS阈值电压就是将栅极下面的Si表面变为强反型层（从P型Si变成N型Si或者n型变成p型）所必要的电压，即需要在满足氧化硅层上的电压降基础上补偿p-n型两者费米能级之差，除此之外，影响阈值电压的因素有（）。
10.N沟道MOSFET的关断条件是，在栅极和源极之间施加一个V左右的向电压。
11.M0SFET是半导体场效晶体管的缩写，具有栅极、源极、基极。
12.彩电显像管栅极、阴极与所加图象信号极性之间的关系是（）
13.IGBT是一种新型复合器件，它的栅极具有（）器件的电压控制特性，而它的输出极（C、E）具有GTR器件的导通压降低的特点。
14.功率场效应晶体管特点是（）的静态内阻高，驱动功耗小
15.电力场效应晶体管有三个引脚，分别为（）、（）、（）。
16.IGBT的主要参数及含义
17.普通示波管的电子枪由（）组成。
18.晶闸管有三个电极，分别是（），（）和门极或栅极
19.对采用MOS管栅极电容存储电荷来暂存信息的动态存储器而言，存储器两遍刷新之间所允许的最长时间间隔通常约为
20.静态MOS存储元、动态MOS存储元、双极型存储元各有什么特点？
21.下列关于MOS版图说法不正确的是（）
22.场效应管放大电路中，栅极输入，漏极输出，为共源极电路
23.利用MOS管栅极电容对电荷的暂存作用来存储信息的为（）RAM。
24.电力场效应管的三个电极分别为源极、漏极和栅极。（）
25.全控型器件可以通过对（）的控制使其关断
26.电子枪的组成包括
27.电子枪是透射电镜照明系统中的关键组成，目前常用的电子枪是热阴极三级电子枪，主要包括、和阳极。
28.NPN型场效应管的三个引脚分别是指（）
29.CMOS传输门之所以可以双向输入，是因为（）。
30.SRAM是利用MOS管栅极电容存储电荷效应的半导体存储器。（）