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当需要传送和放大频率很低的信号时，多级放大电路应采用（）耦合方式。
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当需要传送和放大频率很低的信号时，多级放大电路应采用（）耦合方式。
A.直接
B.变压器
C.电容
D.以上任何一种
正确答案：直接
Tag：
模拟电子技术基础
电容
变压器
时间：2022-01-14 20:40:01
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有一个两级的放大电路，考虑负载效应后，第一级的电压增益为20dB，第二级的电压增益为40dB，则两级放大电路总的电压增益为（）。
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已知MOSFET放大电路的电压增益为-30倍，则该电路可能是（）。
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基本放大电路根据性能特点可以分为三类：反相放大器、电压跟随器和电流跟随器。其中电压跟随器包括（）。
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以下四种放大电路中，管端输入电阻最大的是（）。
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以下四种放大电路中，输入电阻小，适于高频、宽带电路的是（）。
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MOSFET作为开关器件使用时，工作在可变电阻或截止区。
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MOSFET作为放大器件使用时，外加的直流偏置应使其工作在可变电阻区。
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当MOSFET工作在饱和区时，它的导电沟道是连续的（沟道没有夹断区）。
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MOSFET只有一种载流子参与导电，所以称为单极型三极管。
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关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。
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已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V，若管子的偏置电压为UGS=2V，UDS=3V，则可以判断该管子工作在（）区。
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N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。
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MOSFET利用（）控制（），是（）器件。
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下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。
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某BJT三极管工作在放大区，当基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从2mA变化到4mA，则管子的电流放大系数 β约等于（）。
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N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。
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BJT的集电极电流IC=2mA，电流放大系数β=100，忽略基区体电阻rbb'，则BJT的小信号模型参数rbe≈（）kΩ。
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作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
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增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零
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N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
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P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
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已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。