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MOSFET作为放大器件使用时，外加的直流偏置应使其工作在可变电阻区。
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MOSFET作为放大器件使用时，外加的直流偏置应使其工作在可变电阻区。
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
模拟电子技术基础
电阻
器件
时间：2022-01-14 20:39:55
上一篇：
当MOSFET工作在饱和区时，它的导电沟道是连续的（沟道没有夹断区）。
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MOSFET作为开关器件使用时，工作在可变电阻或截止区。
相关答案
1.
MOSFET只有一种载流子参与导电，所以称为单极型三极管。
2.
关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法正确的是（）。
3.
已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V，若管子的偏置电压为UGS=2V，UDS=3V，则可以判断该管子工作在（）区。
4.
N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。
5.
MOSFET利用（）控制（），是（）器件。
6.
下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。
7.
某BJT三极管工作在放大区，当基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从2mA变化到4mA，则管子的电流放大系数 β约等于（）。
8.
N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。
9.
BJT的集电极电流IC=2mA，电流放大系数β=100，忽略基区体电阻rbb'，则BJT的小信号模型参数rbe≈（）kΩ。
10.
作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
热门答案
1.
增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零
2.
N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
3.
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
4.
已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
5.
作为放大器件使用时，NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
6.
下列参数中，属于增强型MOSFET的参数有（）。
7.
与BJT相比，MOSFET具有哪些特点？（）
8.
下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有（）。
9.
关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是（）。
10.
三极管参数为PCM=800?mW， ICM=100?mA，UBR(CEO)=30?V，在下列几种情况中，能够正常工作的有（）。