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N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。
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N沟道增强型MOSFET的开启电压为（）；P沟道增强型MOSFET的开启电压为（）。
A.正值，负值
B.负值，正值
C.正值，正值
D.负值，负值
正确答案：正值，负值
Tag：
模拟电子技术基础
负值
沟道
时间：2022-01-14 20:39:51
上一篇：
MOSFET利用（）控制（），是（）器件。
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已知N沟道增强型MOSFET的开启电压为UGS(th)=1V，若管子的偏置电压为UGS=2V，UDS=3V，则可以判断该管子工作在（）区。
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1.
下列场效应管中，在栅源电压UGS=0时不存在导电沟道的是（）。
2.
某BJT三极管工作在放大区，当基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从2mA变化到4mA，则管子的电流放大系数 β约等于（）。
3.
N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。
4.
BJT的集电极电流IC=2mA，电流放大系数β=100，忽略基区体电阻rbb'，则BJT的小信号模型参数rbe≈（）kΩ。
5.
作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
6.
增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零
7.
N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
8.
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
9.
已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
10.
作为放大器件使用时，NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
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1.
下列参数中，属于增强型MOSFET的参数有（）。
2.
与BJT相比，MOSFET具有哪些特点？（）
3.
下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有（）。
4.
关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是（）。
5.
三极管参数为PCM=800?mW， ICM=100?mA，UBR(CEO)=30?V，在下列几种情况中，能够正常工作的有（）。
6.
UGS=0时，不能工作在恒流区的场效应管是（）。
7.
MOSFET用于放大时，工作在（）。
8.
当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流
9.
P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）
10.
处于放大状态的NPN三极管，其三个电极的电位关系应为（）。