关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法中正确的是()。


关于MOSFET的低频跨导gm,以下说法中正确的是()。

A.MOSFET的漏极电流ID的数值越大,gm就越大

B.gm是一个常数

C.gm是描述管子放大能力的一个参数

D.MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大,gm越大

正确答案:MOSFET的漏极电流ID的数值越大,gm就越大;gm是描述管子放大能力的一个参数;MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大,gm越大


Tag:模拟电子技术基础 数值 电流 时间:2022-01-14 20:39:40