关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是（）。
关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是（）。
A.MOSFET的漏极电流ID的数值越大，gm就越大
B.gm是一个常数
C.gm是描述管子放大能力的一个参数
D.MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大，gm越大
正确答案：MOSFET的漏极电流ID的数值越大，gm就越大；gm是描述管子放大能力的一个参数；MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大，gm越大
关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是（）。
A.MOSFET的漏极电流ID的数值越大，gm就越大
B.gm是一个常数
C.gm是描述管子放大能力的一个参数
D.MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大，gm越大
正确答案：MOSFET的漏极电流ID的数值越大，gm就越大；gm是描述管子放大能力的一个参数；MOSFET的栅源电压|UGS|的数值越大，gm越大
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