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N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。
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N沟道增强型的MOSFET的栅源电压UGS=2V，电导常数Kn=1mA/V^2，开启电压UGS(th)=1V，则管子的低频跨导gm等于（）mS。
正确答案：2
Tag：
模拟电子技术基础
电压
沟道
时间：2022-01-14 20:39:49
上一篇：
BJT的集电极电流IC=2mA，电流放大系数β=100，忽略基区体电阻rbb'，则BJT的小信号模型参数rbe≈（）kΩ。
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某BJT三极管工作在放大区，当基极电流从10μA变化到20μA时，集电极电流从2mA变化到4mA，则管子的电流放大系数 β约等于（）。
相关答案
1.
作为放大器件工作时，N沟道耗尽型MOSFET的栅源电压能用正向偏置。
2.
增强型MOS管工作在饱和区（放大区）时，其栅源电压必须大于零
3.
N沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-2V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝3V，UGS＝-1V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
4.
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＝-1V，当测量到它在电路中的电压值为：UDS＝-3V，UGS＝-2V时，可以断定该MOS管工作在截止区。
5.
已知MOS管的开启电压为VTN＝1V，当测量到它在电路中的电压值为：VDS＝3V，VGS＝2V时，可以断定该MOS管工作在饱和区。
6.
作为放大器件使用时，NPN型BJT只能在正电源电压下工作，而PNP型BJT只能在负电源电压下工作。
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下列参数中，属于增强型MOSFET的参数有（）。
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与BJT相比，MOSFET具有哪些特点？（）
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下列场效应管中，栅源电压等于0时存在导电沟道的有（）。
10.
关于MOSFET的低频跨导gm，以下说法中正确的是（）。
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1.
三极管参数为PCM=800?mW， ICM=100?mA，UBR(CEO)=30?V，在下列几种情况中，能够正常工作的有（）。
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UGS=0时，不能工作在恒流区的场效应管是（）。
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MOSFET用于放大时，工作在（）。
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当栅源电压为0V时，（）MOS管存在导电沟道，在正的栅源电压作用下，可以有更大的漏极电流
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P沟道增强型MOS管的栅源开启电压是（）
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处于放大状态的NPN三极管，其三个电极的电位关系应为（）。
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处于放大状态的PNP三极管，其三个电极的电位关系应为（）。
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当BJT三极管的发射结和集电结都反偏时，管子的工作状态是什么？（）
9.
P沟道增强型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）；N沟道耗尽型MOSFET导通时，参与导电的载流子主要是（）。
10.
当N沟道增强型MOSFET的栅源电压大于开启电压，栅漏电压小于开启电压时，管子工作在（）区。