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利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
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利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
A.正确
B.错误
正确答案：A
Tag：
半导体技术导论
光刻
基底
时间：2021-10-02 21:22:28
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利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
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