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利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
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利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
A.正确
B.错误
正确答案:B
Tag:
半导体技术导论
各向异性
氢氟酸
时间:2021-10-02 21:22:27
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集成电路中只能制造二极管和三极管,而无法制造电阻。
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利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中,掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
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