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光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。
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光探测器设计的标准是：半导体材料的禁带宽度只要高于被探测光能量即可。
A.正确
B.错误
正确答案：B
Tag：
半导体技术导论
探测器
宽度
时间：2021-10-02 21:22:17
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对于同种半导体材料，通常PIN型光探测器的灵敏度要高于APD光探测器。
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以下哪种LED量产最晚？
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半导体光探测器本质是一个pn结，这类器件工作在pn结电流电压特性曲线的第（）象限？
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以下几种太阳能电池中，效率最高的是（）？
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太阳能电池上表面的电极会遮挡电池吸收的阳光。
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VOC是指短路电压。
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太阳能电池可以吸收太阳光的所有能量。
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BJT可用于恒定电流源的设计。
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MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
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MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
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n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
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通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
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欧姆接触也称为整流接触。
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金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
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平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。
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通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
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温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
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通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
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在半导体中的空穴流动就是电子流动。
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半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。