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MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
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MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。
A.正确
B.错误
正确答案：B
Tag：
半导体技术导论
电流
电压
时间：2021-10-02 21:22:11
上一篇：
n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。
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MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。
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通常，超晶格结构是基于异质结设计的。
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欧姆接触也称为整流接触。
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金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。
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平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。
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pn结加反偏压时，总电流为0。
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通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。
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通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
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温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
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通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
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在半导体中的空穴流动就是电子流动。
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从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
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