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把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
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把磷化镓在氮气氛中退火，会有氮取代部分的磷，这会在磷化镓中出现（）。
A.改变禁带宽度
B.产生复合中心
C.产生空穴陷阱
D.产生等电子陷阱
正确答案：D
Tag：
半导体物理学
陷阱
空穴
时间：2024-02-17 10:02:25
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半导体中的载流子扩散系数的大小取决于（）
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根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（）
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如果半导体中电子浓度等于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度大于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主；如果半导体中电子浓度小于空穴浓度，则该半导体以（）导电为主。
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
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硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件
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对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（）
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GaAs的导带极值位于布里渊区（）
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在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（）
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如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
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受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
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电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。
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nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
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载流子的漂移运动是由（）引起的。
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当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
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当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。
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硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
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半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
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