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硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件
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硅中掺金的工艺主要用于制造（）器件
A.高可靠性
B.高反压
C.高频
D.大功率
正确答案：C
Tag：
半导体物理学
器件
工艺
时间：2024-02-17 10:02:23
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对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体，随着平均原子序数的增加（）
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对于只含一种杂质的非简并n型半导体，费米能级EF随温度上升而（）
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某材料的电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料是（）
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欲在掺杂适度的无表面态n型硅上做欧姆电极，以下四种金属中最合适的是（）
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若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）
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GaAs的导带极值位于布里渊区（）
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在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（）
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如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
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受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
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电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。
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nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
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载流子的漂移运动是由（）引起的。
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当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
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当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。
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如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）。
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硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
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半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
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纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
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若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
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n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
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PN结电容可分为（）和（）两种。
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半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。