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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
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对于同一种半导体材料其电子浓度和空穴浓度的乘积与()有关,而对于不同的半导体材料其浓度积在一定的温度下将取决于()的大小。
正确答案:温度|禁带宽度
Tag:
半导体物理学
浓度
空穴
时间:2024-02-17 10:01:29
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一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止,经过τ时间后,非平衡载流子全部消失。()
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费米分布函数适用于简并的电子系统,波耳兹曼分布函数适用于非简并的电子系统。()
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室温下,对于某n型半导体,其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。()
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在一定温度下,光照在半导体材料中会产生非平衡载流子,光照稳定后,由于电子空穴对的产生率与复合率相等,所以称为热平衡状态,有统一的费米能级。()
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无论本征半导体还是杂质半导体,其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,由温度和禁带宽度决定。()
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通常把服从()的电子系统称为非简并性系统,服从()的电子系统称为简并性系统。
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半导体载流子在输运过程中,会受到各种散射机构的散射,主要散射机构有()、()、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
6.
如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化,则具有这种能带结构的半导体称为()禁带半导体,否则称为()禁带半导体。
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半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有两大类:()的直接复合和通过禁带内的()进行复合。
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半导体产生光吸收的方式?
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半导体的晶格结构式多种多样的,常见的Ge和Si材料,其原子均通过共价键四面体相互结合,属于()结构;与Ge和Si晶格结构类似,两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成()和纤锌矿等两种晶格结构。
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()杂质可显著改变载流子浓度;()杂质可显著改变非平衡载流子的寿命,是有效的复合中心。
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什么是本征半导体?
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统一的费米能级是热平衡状态的标志。()
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半导体导带中的电子浓度取决于什么?
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反向偏置pn结,当电压升高到某值时,反向电流急剧增加,这种现象称为pn结击穿,主要的击穿机理有两种:()击穿和()击穿。
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简述半导体的导电机构。
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为什么内壳层电子能带窄,外层电子能带宽?
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半导体中的载流子复合可以有很多途径,主要有哪两大类?
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什么是n型半导体?
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什么是本征激发?
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为什么点阵间隔越小,能带越宽?