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室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。（）
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室温下，对于某n型半导体，其费米能级在其本征半导体的费米能级之下。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
半导体物理学
费米
能级
时间：2024-02-17 10:01:27
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在一定温度下，光照在半导体材料中会产生非平衡载流子，光照稳定后，由于电子空穴对的产生率与复合率相等，所以称为热平衡状态，有统一的费米能级。（）
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一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，其中非平衡载流子的寿命为τ。若光照忽然停止，经过τ时间后，非平衡载流子全部消失。（）
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无论本征半导体还是杂质半导体，其电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，由温度和禁带宽度决定。（）
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通常把服从（）的电子系统称为非简并性系统，服从（）的电子系统称为简并性系统。
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半导体载流子在输运过程中，会受到各种散射机构的散射，主要散射机构有（）、（）、中性杂质散射、位错散射、载流子间的散射和等价能谷间散射。
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如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）禁带半导体，否则称为（）禁带半导体。
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半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有两大类：（）的直接复合和通过禁带内的（）进行复合。
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半导体产生光吸收的方式？
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半导体的晶格结构式多种多样的，常见的Ge和Si材料，其原子均通过共价键四面体相互结合，属于（）结构；与Ge和Si晶格结构类似，两种不同元素形成的化合物半导体通过共价键四面体还可以形成（）和纤锌矿等两种晶格结构。
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（）杂质可显著改变载流子浓度；（）杂质可显著改变非平衡载流子的寿命，是有效的复合中心。
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统一的费米能级是热平衡状态的标志。（）
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反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
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