首页
反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
精华吧
→
答案
→
远程教育
→
联大学堂
反向偏置pn结，当电压升高到某值时，反向电流急剧增加，这种现象称为pn结击穿，主要的击穿机理有两种：（）击穿和（）击穿。
正确答案：雪崩|隧道
Tag：
半导体物理学
机理
电流
时间：2024-02-17 10:01:14
上一篇：
简述半导体的导电机构。
下一篇：
半导体导带中的电子浓度取决于什么？
相关答案
1.
为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？
2.
半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？
3.
什么是n型半导体？
4.
什么是本征激发？
5.
为什么点阵间隔越小，能带越宽？
6.
简述实际半导体中杂质与缺陷来源。
7.
什么是p型半导体？
8.
元素半导体掺杂工艺有哪些？
9.
电子和空穴的有哪些共同之处？
10.
电子和空穴的不同之处是什么？
热门答案
1.
半导体的五大基本特性。
2.
点缺陷类型有哪些？
3.
纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。（）
4.
金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。（）
5.
氧化硅层在半导体器件中起什么作用？
6.
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。（）
7.
内部原子或分子的排列呈现杂乱无章的分布状态的固体，称为非晶体。（）
8.
Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质。（）
9.
载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。（）
10.
费米能级难以移动的现象，称为高能度隙态的钉扎效应。（）