首页
Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心,称此类杂质为受主杂质。()
精华吧
→
答案
→
远程教育
→
联大学堂
Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心,称此类杂质为受主杂质。()
A.正确
B.错误
正确答案:正确
Tag:
半导体物理学
杂质
负电
时间:2024-02-17 10:00:55
上一篇:
载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动,由此引起的电流称为漂移电流。()
下一篇:
内部原子或分子的排列呈现杂乱无章的分布状态的固体,称为非晶体。()
相关答案
1.
费米能级难以移动的现象,称为高能度隙态的钉扎效应。()
2.
陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级。()
3.
热电效应是电流引起的可逆热效应和温差引起的电效应的总称。()
4.
什么是施主杂质?
5.
能级杂质在半导体复合中所起的作用。
6.
阐述影响本征半导体载流子浓度的主要因素。
7.
在半导体中掺入杂质的作用是什么?
8.
本征半导体的特征是什么?
9.
简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的不同之处。
10.
为什么在半导体掺杂中,杂质会产生多个能级?
热门答案
1.
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质。
2.
为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低?
3.
影响表面复合的因素有哪些?
4.
元素半导体中的缺陷、原子空位起什么作用?间隙起什么作用?
5.
为什么器件正常工作大多在饱和电离区?
6.
半导体中载流子的散射机构有哪几种?
7.
影响固溶体形成的因素有哪些?
8.
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构有哪些?
9.
热平衡时载流子浓度由哪些因素决定?
10.
阐述深能级杂质的特点。