首页
以下科学家获得过图灵奖的是：（）
精华吧
→
答案
→
知到智慧树
→
未分类
以下科学家获得过图灵奖的是：（）
A.杨振宁
B.李政道
C.姚期智
D.吴文俊
正确答案：姚期智
Tag：
新编大学计算机基础
科学家
杨振宁
时间：2022-03-24 15:16:45
上一篇：
一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子tgδ为0.02。求相对介电常数（）
下一篇：
被称为计算机领域最高奖项的是：（）
相关答案
1.
如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc时,则超导态被破坏。（）
2.
若把温度T从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（）
3.
阳离子电荷高低对活化能也有影响。一价阳离子尺寸小，电荷少，活化能低，电导率大；相反，高价正离子，价键强，激活能高，故迁移率就低，电导率也低。（）
4.
研究碱卤化合物的电导激活能发现，负离子半径增大，其正离子激活能显著降低，这样离子电导率便按NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI依次降低。（）
5.
亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散，萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。（）
6.
氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）
7.
少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为。（）
8.
在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为。（）
9.
晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体密度变小。（）
10.
ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（）
热门答案
1.
下述缺陷反应方程正确：。（）
2.
在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（）
3.
如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？（）
4.
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（）
5.
EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（）
6.
砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）
7.
GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）
8.
化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）
9.
II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（）
10.
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（）