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如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc时,则超导态被破坏。（）
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如果输入电流所产生的磁场与外加磁场之和超过超导体的临界磁场Bc时,则超导态被破坏。（）
A.正确
B.错误
正确答案：A
Tag：
材料物理
磁场
超导体
时间：2022-03-24 15:14:47
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若把温度T从超导转变温度下降,则超导体的临界磁场也随之增加。（）
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一块1cm×4cm×0.5cm的陶瓷介质，其电容为2.4*10-6μF，损耗因子tgδ为0.02。求相对介电常数（）
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阳离子电荷高低对活化能也有影响。一价阳离子尺寸小，电荷少，活化能低，电导率大；相反，高价正离子，价键强，激活能高，故迁移率就低，电导率也低。（）
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亚间隙机构与空位机构相比，造成的晶格变形大；与间隙机构相比，晶格变形小。AgBr晶体中的间隙Ag+的扩散，萤石型结构UO2+x晶体中间隙O2-的扩散属于亚间隙扩散机构。（）
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氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）
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少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为。（）
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晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体密度变小。（）
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ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（）
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下述缺陷反应方程正确：。（）
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在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（）
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如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？（）
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半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（）
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EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（）
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砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）
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GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）
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化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）
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II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（）
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一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（）
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在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（）
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金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（）