首页
少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为。（）
精华吧
→
答案
→
知到智慧树
→
未分类
少量CaCl2在KCl中形成固溶体后，实测密度值随Ca2+离子数/K＋离子数比值增加而减少，由此可判断其缺陷反应式为。（）
A.正确
B.错误
正确答案：A
Tag：
材料物理
离子
反应式
时间：2022-03-24 15:14:42
上一篇：
在MgO中形成Schottky缺陷时，缺陷反应式为。（）
下一篇：
氧化性气氛生成p型半导体，以下缺陷反应生成阳离子空位（Ma-yXb）型非化学计量化合物1/2O2=VFe’’+2h?+OO。（）
相关答案
1.
晶体产生Frenkel缺陷时，晶体体积变大，晶体密度变小。（）
2.
ZnO属六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含有2个ZnO分子，测得晶体密度为5.606g/cm3，这种情况下产生间隙型固溶体。（）
3.
下述缺陷反应方程正确：。（）
4.
在一种还原性气氛中加热的WO3晶体中，氧空位VO..和W(V)缺陷占优势。（）
5.
如果CaF2晶体中，含有百万分之一的YF3杂质，则在1600℃时，CaF2晶体中是热缺陷浓度小于杂质缺陷浓度（CaF2晶体中弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV）？（）
6.
半导体中费米能级随着温度的升高向禁带中央移动，随着杂质浓度的提高向禁带边沿移动。（）
7.
EF－EC≥0的半导体叫简并半导体，其施主浓度高于导带底等效态密度。（）
8.
砷化镓中替代镓位的硅原子起施主作用；这样的砷化镓是n型半导体。（）
9.
GaN比GaAs的禁带宽度宽；这与N比As的电负性强有关。（）
10.
化合物半导体的禁带宽度一般随平均原子系数的增加而变窄，如GaN＞GaP。（）
热门答案
1.
II-VI族化合物ZnS半导体中的非金属原子空位起施主作用。（）
2.
一种半导体E(k)曲线的导带底曲率大于其价带顶曲率,由此知其电子有效质量小于空穴有效质量，其电子迁移率大于空穴迁移率。（）
3.
在半导体硅中杂质P起施主作用；Al起受主作用，同时含磷和铝，但铝浓度高的Si是p型半导体。（）
4.
金属氧化物MO中氧原子过剩时形成n型半导体，金属原子过剩时形成p型半导体。（）
5.
同一种晶体中电子的迁移率μe大于空穴的迁移率μh。（）
6.
俘获了空穴的阳离子空位为F心。（）
7.
导体从正常态转变为超导态的温度是超导体的临界温度Tc。（）
8.
处于超导态的超导体是一抗磁体，此时超导体具有屏蔽磁场和排除磁通的功能。（）
9.
在p-n结两端接电压时可以形成正偏压和负偏压。P区接负极，n区接正极，形成正偏压。（）
10.
n-型半导体负电吸附，p-型半导体正电吸附，表面电导率增加。（）