n-型半导体负电吸附，p-型半导体正电吸附，表面电导率增加。（）_精华吧

n-型半导体负电吸附，p-型半导体正电吸附，表面电导率增加。（）

精华吧→答案→知到智慧树→未分类

n-型半导体负电吸附，p-型半导体正电吸附，表面电导率增加。（）

A.正确

B.错误

正确答案：B

Tag：材料物理半导体负电时间：2022-03-24 15:14:24

相关答案

热门答案

1.TiO2等金属氧化物，在还原气体中焙烧时，还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+，但三价Ti3+离子不稳定，会恢复四价放出两个电子，由于氧离子缺位，分子表达式为TiO2-x。此时电子浓度、氧空位浓度和氧分压的关系为：（）
2.高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，也可以用MgO来促进Al2O3的烧结，如加入0.2mol%ZrO2，固溶体分子式为：（）
3.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在1600℃时热缺陷的浓度？（）
4.在CaF2晶体中，弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV，肖特基缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃时热缺陷的浓度？（）
5.方镁石（MgO）的密度是3.58g/cm3，其晶格常数是0.42nm，计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目（MgO为立方晶系，1个MgO晶胞中有4个MgO分子，Mg原子量24.305，O原子量15.999）。（）
6.透辉石CaMg[Si2O6]硅酸盐矿结构属何种结构类型？（）
7.已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5′1010cm-3，试求掺磷浓度为1.5′1013cm-3，掺硼浓度为1.0′1013cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置（Ec-EF）。已知此时硅中杂质原子已全部电离，硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。()
8.n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV，施主原子的局域能级为1.00eV，求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级，k=8.6×10-5eV/K，T=300K，假定价带顶的能级为0.0eV。（）
9.单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV，等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为（）。
10.硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV，等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。（k=8.6×10-5eV/K）（）