首页
离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主,高温下以杂质电导为主。()
精华吧
→
答案
→
知到智慧树
→
未分类
离子晶体中的离子电导常温下以本征电导为主,高温下以杂质电导为主。()
A.正确
B.错误
正确答案:B
Tag:
材料物理
电导
离子
时间:2022-03-24 15:13:48
上一篇:
因为金属中自由电子浓度很大,远远超过半导体的载流子密度,故半导体的霍尔系数大于金属。()
下一篇:
电子导电材料中温度对载流子迁移率的影响为:低温下杂质离子对电子的散射起主要作用,高温下声子对电子的散射起主要作用。()
相关答案
1.
设有一条内径为30mm的厚壁管道,被厚度为0.1mm的铁膜隔开,通过向管子一端向管内输入氮气,以保持膜片一侧氮气浓度为1200mol/m3,而另一侧的氮气浓度为100mol/m3。如在700℃下测得通过管道的氮气流量为2.8×10-4mol/s,求此时氮气在铁中的扩散系数。()
2.
在(773K)所做扩散实验指出,在金属1010个原子中有一个原子具有足够的激活能可以跳出其平衡位置而进入间隙位置,在时,此比例会增加到109,问:(1)此跳跃所需要的激活能?(2)在(973K)具有足够能量的原子所占的比例为多少?()
3.
空位随温度升高而增加,在和之间,由于热膨胀bcc铁的晶格常数增加0.51%,而密度减少2.0%,假设在时,此金属中每1000个单位晶胞中有1个空位,试估计在时每1000个单位晶胞中有多少个空位?(bcc铁单位晶胞中有2个原子,假设晶格不变)()
4.
TiO2等金属氧化物,在还原气体中焙烧时,还原气氛夺取了TiO2中的部分氧在晶格中产生氧空位。每个氧离子在离开晶格时要交出两个电子。这两个电子可将两个Ti4+还原成Ti3+,但三价Ti3+离子不稳定,会恢复四价放出两个电子,由于氧离子缺位,分子表达式为TiO2-x。此时电子浓度、氧空位浓度和氧分压的关系为:()
5.
高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧,也可以用MgO来促进Al2O3的烧结,如加入0.2mol%ZrO2,固溶体分子式为:()
6.
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在1600℃时热缺陷的浓度?()
7.
在CaF2晶体中,弗兰克尔缺陷形成能为2.8eV,肖特基缺陷的生成能为5.5eV,计算在25℃时热缺陷的浓度?()
8.
方镁石(MgO)的密度是3.58g/cm3,其晶格常数是0.42nm,计算MgO中每个晶胞中肖特基缺陷的数目(MgO为立方晶系,1个MgO晶胞中有4个MgO分子,Mg原子量24.305,O原子量15.999)。()
9.
透辉石CaMg[Si2O6]硅酸盐矿结构属何种结构类型?()
10.
已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5′1010cm-3,试求掺磷浓度为1.5′1013cm-3,掺硼浓度为1.0′1013cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置(Ec-EF)。已知此时硅中杂质原子已全部电离,硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。()
热门答案
1.
n型半导体导带的有效状态密度Nc=1.0×1019/cm3,施主原子的浓度为ND=1.0×1021/cm3,导带的最低能级为1.10eV,施主原子的局域能级为1.00eV,求该n型半导体导带中的电子浓度和费米能级,k=8.6×10-5eV/K,T=300K,假定价带顶的能级为0.0eV。()
2.
单晶硅半导体的禁带宽度为1.10eV,等效状态密度N=1.0×1019/cm3,求在273K时该半导体中的本征载流子浓度ni为()。
3.
硫化铅晶体的禁带宽度为0.35eV,等效状态密度N=8.8×1018/cm3,计算300K时硫化铅价带空穴浓度和导带电子的浓度。(k=8.6×10-5eV/K)()
4.
已知NaCl的A1=5.0×107s·m-1,W1=169kJ/mol,A2=50s·m-1,W2=82kJ/mol;计算在300K时的电导率。()
5.
已知某离子晶体的晶格常数为5.0×10-8cm,固有振动频率为1012Hz,晶格势能垒为0.5eV,求300K时的离子迁移率为()。
6.
体心立方格子的倒格子是面心立方,倒格矢的长度(基矢的长度)为()
7.
Na的密度1.013g/cm3,原子量为22.99,计算Na在0K时自由电子的平均能量()
8.
Cu的密度8.92g/cm3,原子量为63.55,计算Cu的EF0()
9.
如电子占据某一能级的几率为1/4,另一能级被占据的几率为3/4,分别计算两个能级的能量比费密能高出多少kT()
10.
计算能量为54eV电子的德布罗意波长以及它的波数()