已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5′1010cm-3,试求掺磷浓度为1.5′1013cm-3,掺硼浓度为1.0′1013cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置(Ec-EF)。已知此时硅中杂质原子已全部电离,硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。()
已知室温下硅的本征载流子密度ni=1.5′1010cm-3,试求掺磷浓度为1.5′1013cm-3,掺硼浓度为1.0′1013cm-3的硅样品在室温热平衡状态下的电子密度n0、空穴密度p0和费米能级的位置(Ec-EF)。已知此时硅中杂质原子已全部电离,硅的导带底和价带顶有效态密度分别为2.8′1019cm-3和1.1′1019cm-3。()
A.n0=4.5′107cm-3,p0=5′1012cm-3,Ec-EF=0.362eV
B.n0=4.5′107cm-3,p0=5′1012cm-3,Ec-EF=0.404eV
C.n0=5′1012cm-3,p0=4.5′107cm-3,Ec-EF=0.362eV
D.n0=5′1012cm-3,p0=4.5′107cm-3,Ec-EF=0.404eV
正确答案:n0=5′1012cm-3,p0=4.5′107cm-3,Ec-EF=0.404eV