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硅外延生长工艺包括()。
A.衬底制备
B.原位HCl腐蚀
C.生长温度,生长压力,生长速度
D.尾气的处理
正确答案:A,B,C,D
Tag:
生长
衬底
原位
时间:2024-12-17 16:13:31
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数据库以()形式存入于磁盘中。
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