以下哪些部分易引起载流子的复合？
A、硅片内部的杂质、缺陷处
B、硅片表面
C、制备的钝化膜中
D、金属与硅片接触部分
正确答案：硅片内部的杂质、缺陷处|硅片表面|金属与硅片接触部分
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