首页
对于以电阻RD为负载的共源级电路，减小ID，可以增大电路的小信号增益AV
精华吧
→
答案
→
知到智慧树
→
未分类
对于以电阻RD为负载的共源级电路，减小ID，可以增大电路的小信号增益AV
A.对
B.错
正确答案：对
Tag：
电路
增益
负载
时间：2024-01-15 20:03:27
上一篇：
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大电阻上的电压VRD，可以增大电路的小信号增益AV，但VDS会下降，从而导致放大器静态工作点下移，输出电压的摆幅会减小
下一篇：
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大电阻RD，可以增大电路的小信号增益AV，但会导致电路的版图面积增加，电阻噪声增大，放大器速度下降。
相关答案
1.
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大器件的宽长比W/L，可以增大电路的小信号增益AV，但MOS管寄生电容相应增加，电路的高频响应会变差，其3dB转折频率点会下降
2.
对于以电阻RD为负载的共源级电路，增大其小信号增益的措施有（）
3.
下列关于小信号的说法，正确的是（）
4.
下列关于放大的说法，正确的是（）
5.
判断器件为NMOS器件还是PMOS器件？
6.
判断制造下列电路的衬底类型
7.
下列关于MOS模型的说法正确的有（）
8.
下列关于亚阈值导电特性的说法正确的是（）
9.
下列关于沟道长度调制效应说法正确的是（）
10.
下列关于体效应的说法，正确的是（）
热门答案
1.
一般MOS器件的源漏是对称的，这告诉我们要根据实际集成电路的情况来判断电路的源极和漏极。
2.
如果一个电路的最高电压是VDD，最低电压是VSS，那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
3.
下列对器件尺寸参数描述正确的有（）
4.
下列关于阈值电压的说法，不正确的是（）
5.
下列关于MOS版图说法不正确的是（）
6.
MOS器件的源端和漏端不可以共用，不可以互换。
7.
跟数字集成电路设计一样，目前高性能模拟集成电路的设计已经能自动完成。
8.
模拟电路许多效应的建模和仿真仍然存在问题，模拟设计需要设计者利用经验和直觉来分析仿真结果
9.
模拟设计涉及到在速度、功耗、增益、精度、电源电压等多种因素间进行折衷
10.
CMOS电路已成为当今SOC设计的主流制造技术。