下列关于阈值电压的说法,不正确的是()
下列关于阈值电压的说法,不正确的是()
A.NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B.在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C.当VGS>VTH时,NMOS器件导通
D.若VTH=0,则NMOS器件关断
正确答案:若VTH=0,则NMOS器件关断
- 上一篇:下列关于MOS版图说法不正确的是()
- 下一篇:下列对器件尺寸参数描述正确的有()
下列关于阈值电压的说法,不正确的是()
A.NFET的阈值电压定义为当界面的电子浓度等于p型衬底的多子浓度时的栅压VGS
B.在器件制造过程中,可通过向沟道区注入杂质来调整阈值电压
C.当VGS>VTH时,NMOS器件导通
D.若VTH=0,则NMOS器件关断
正确答案:若VTH=0,则NMOS器件关断
相关答案