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窄的成分过冷区间是胞状晶形成的必要条件。
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窄的成分过冷区间是胞状晶形成的必要条件。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
材料成形原理
晶形
过冷
时间：2023-12-23 11:27:00
上一篇：
V型偏析和逆V型偏析区域内富含S、P等杂质。
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晶界偏析对材料性能造成的危害比晶内偏析小。
相关答案
1.
大型有色金属铸锭中常会有V型及逆V型偏析产生。
2.
钢锭中出现V型偏析区时，通常同时在钢锭下半部分存在负偏析区。
3.
胞状偏析实质上是一种晶界偏析。
4.
晶内偏析是晶粒内部出现的成分不均匀现象，产生于固溶体中。
5.
溶质分配系数<；1时，正常情况下后凝固部分溶质含量低。
6.
正常偏析和逆偏析是根据不同区域溶质高低进行的偏析分类。
7.
在晶粒尺寸范围内发生的成分不均匀现象称为宏观偏析。
8.
快速凝固是采用急冷或深过冷技术获得高凝固速率的过程。
9.
细化熔池结晶组织思路是提高形核率和抑制晶粒长大。
10.
熔合区母材晶粒对焊缝晶体结构具有一定的遗传性。
热门答案
1.
焊缝周围未熔化母材，在加热和冷却过程中发生组织和性能变化。
2.
铸型振动使熔体与凝固层之间产生相对运动，促进晶体脱落和游离。
3.
孕育剂的作用不受时间的限制。
4.
合理的浇注方式，有助于激冷晶脱落和游离。
5.
铸件各晶区的形成和相对比例是相互联系、彼此制约的。
6.
小晶体在熔体中下落，发生晶体的熔断和增殖。
7.
枝晶脖颈易于被熔体冲断而游离，促使内部等轴晶区形成。
8.
成分过冷的过冷度大于异质形核所需临界过冷度，产生晶核并长大。
9.
在垂直于型壁单向热流作用下，晶粒由外向熔体内生长。
10.
散热从型壁和过冷熔体中散出，形成无方向性表面细小等轴晶。