首页
V型偏析和逆V型偏析区域内富含S、P等杂质。
精华吧
→
答案
→
知到智慧树
→
未分类
V型偏析和逆V型偏析区域内富含S、P等杂质。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
Tag:
材料成形原理
杂质
区域内
时间:2023-12-23 11:26:59
上一篇:
大型有色金属铸锭中常会有V型及逆V型偏析产生。
下一篇:
窄的成分过冷区间是胞状晶形成的必要条件。
相关答案
1.
钢锭中出现V型偏析区时,通常同时在钢锭下半部分存在负偏析区。
2.
胞状偏析实质上是一种晶界偏析。
3.
晶内偏析是晶粒内部出现的成分不均匀现象,产生于固溶体中。
4.
溶质分配系数<;1时,正常情况下后凝固部分溶质含量低。
5.
正常偏析和逆偏析是根据不同区域溶质高低进行的偏析分类。
6.
在晶粒尺寸范围内发生的成分不均匀现象称为宏观偏析。
7.
快速凝固是采用急冷或深过冷技术获得高凝固速率的过程。
8.
细化熔池结晶组织思路是提高形核率和抑制晶粒长大。
9.
熔合区母材晶粒对焊缝晶体结构具有一定的遗传性。
10.
焊缝周围未熔化母材,在加热和冷却过程中发生组织和性能变化。
热门答案
1.
铸型振动使熔体与凝固层之间产生相对运动,促进晶体脱落和游离。
2.
孕育剂的作用不受时间的限制。
3.
合理的浇注方式,有助于激冷晶脱落和游离。
4.
铸件各晶区的形成和相对比例是相互联系、彼此制约的。
5.
小晶体在熔体中下落,发生晶体的熔断和增殖。
6.
枝晶脖颈易于被熔体冲断而游离,促使内部等轴晶区形成。
7.
成分过冷的过冷度大于异质形核所需临界过冷度,产生晶核并长大。
8.
在垂直于型壁单向热流作用下,晶粒由外向熔体内生长。
9.
散热从型壁和过冷熔体中散出,形成无方向性表面细小等轴晶。
10.
表面激冷晶区很窄,只有几个晶粒的厚度。