智慧树知到《模拟电子技术基础(山东理工大学版)》章节测试答案
智慧树知到《模拟电子技术基础(山东理工大学版)》章节测试答案
第一章单元测试
1、电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于3V
。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
2、电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,用理想模型求UR的值等于0V
。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
3、电路如图所示,二极管采用硅管,电阻R=1kΩ,E=3V,硅管的正向导通电压可取0.7V,用恒压降模型求UR的值等于()V
A.0
B.1
C.3
D.2
正确答案:0
4、电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=0V,求uy=()V
A.2.4
B.2.1
C.2.3
D.2.2
正确答案:2.3
5、电路如图所示,二极管VD1、VD2用恒压降模型,正向导通电压均为0.7V,假如输入端uA=3V,uB=3V,求uy=()V
A.2.3
B.2
C.0
D.2.1
正确答案:2.3
第二章单元测试
1、共集电极放大电路的电压放大倍数接近于()
A.3
B.4
C.1
D.2
正确答案:1
2、共集电极放大电路的输入电阻比较高。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
3、共集电极放大电路的输出电阻比较低。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
4、共基极电路的频率响应好,常用作宽带或高频放大电路。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
5、直接耦合方式不仅可以使缓变信号获得逐级放大,而且便于电路集成化。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
第三章单元测试
1、N沟道耗尽型MOS管的uGS在一定范围内()。
A.可正可负
B.为正
C.为负
正确答案:可正可负
2、N沟道结型场效应管正常工作,应在其栅源之间加正向电压。
A.正确
B.错误
正确答案:错误
3、结型场效应管栅源之间的PN结反向偏置,因此,其输入电阻很高。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
4、跨导gm与静态工作点Q点的位置有关系,Q点越高,gm越小。
A.正确
B.错误
正确答案:错误
5、输入加在栅极和源极间的输入回路,输出加在漏极和源极间的输出回路,这为共源极放大电路。
A.正确
B.错误
正确答案:正确
第四章单元测试
1、两级放大电路的上限频率分别为f1 =100kHz,f2 =500kHz,则放大电路总的上限频率应为()kHz。