智慧树知到《模拟电子技术（中南大学）》章节测试答案

第一章单元测试

1、BJT管的输入电阻比MOSFET的输入电阻高。

A.对

B.错

正确答案：错

2、稳压管的稳压作用是利用了PN结的反向截止特性。

A.对

B.错

正确答案：错

3、要实现BJT的放大作用，对发射结与集电结的要求是（）。

A.发射结正偏，集电结正偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结反偏，集电结反偏

正确答案：发射结正偏，集电结反偏

4、工作在放大区的某晶体三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为（）。

A.50

B.83

C.90

D.100

正确答案：100

5、在放大电路中，测得BJT管三个管脚电位分别为6V、6.7V、12V，则这三个管脚分别是（）。

A.C、B、E

B.C、E、B

C.E、B、C

D.E、C、B

正确答案：E、B、C

6、

A.4.3

B.5.7

C.73

D.8.7

正确答案：5.7

7、设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）区。

A.截止

B.可变电阻

C.放大

D.击穿

正确答案：截止

8、

A.a

B.b

C.c

D.d

正确答案：a;c

9、

A.a

B.b

C.c

D.d

正确答案：a;c

10、

A.a

B.b

C.c

D.d

正确答案：b;d

第二章单元测试

1、阻容耦合两级放大电路各级的Q点相互独立，所以可以各级独自计算各自的Q点。

A.对

B.错

正确答案：对

2、耗尽型NMOS管的多子与少子都参与导电。（）

A.对

B.错

正确答案：错

3、

A.12

B.6

C.0.7

D.0.5

正确答案：12

4、设某增强型N沟道MOS管UGS（th）=3V，试问当它的栅源电压uGS=2.5V时，该管处于（）状态。

A.放大

B.截止

C.饱和

D.击穿

正确答案：截止

5、

A.6

B.5.7

C.4.24

D.4.03

正确答案：4.03

6、

A.>1200

B.<1200

C.=1200

D.= -1200

正确答案：<1200

7、