下列关于IGBT的说法，正确的是（）。
下列关于IGBT的说法，正确的是（）。
A.开通和关断都是由栅射极的电压UGE来决定的
B.当UCE>0且UGE>0时，器件导通
C.电导调制效应使得器件具有很小的通态压降
D.GTR和MOSFET组成达林顿结构，相当于一个由PNP晶体管驱动的厚基区的MOSFET
正确答案：AC
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下列关于IGBT的说法，正确的是（）。
A.开通和关断都是由栅射极的电压UGE来决定的
B.当UCE>0且UGE>0时，器件导通
C.电导调制效应使得器件具有很小的通态压降
D.GTR和MOSFET组成达林顿结构，相当于一个由PNP晶体管驱动的厚基区的MOSFET
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