首页
温室效应和哪些因素有关。（）
精华吧
→
答案
→
超星尔雅学习通未分类
温室效应和哪些因素有关。（）
A.保护地的通风透气性
B.保温比的大小
C.覆盖材料
D.保护地的方位
E.太阳辐射能强弱
正确答案：ABCDE
Tag：
辐射能
透气性
强弱
时间：2022-12-09 17:19:49
上一篇：
苹果树腐烂病菌的休眠形态有（）。
下一篇：
兴趣在职业生涯规划中的理解与日常理解的区别（）。
相关答案
1.
有关畦面的类型说法正确的有（）
2.
上染百分率只说明纤维对染料的吸附能力，并不能直接反应染料在纤维内部的分布情况。在条件允许的情况下，应同时做纤维的（），以确定上染的染料是否已均匀的渗入纤维的内部。
3.
相较于白腐病，葡萄溃疡病在症状上的特殊性有（）。
4.
芹菜生长经历两个阶段，下面描述准确的包括（）
5.
职业生涯规划的“心、想、事、成”的框架中“心”的内涵是（）。
6.
短纤维断裂强力和断裂伸长的测定试验中，如果选择自动方式进行实验，则红色按钮应该按（）次，纤维拉伸才开始进行。
7.
双端口存储器所以能进行高速读/写操作，是因为采用（）。
8.
堆栈的工作方式是（）。
9.
在堆栈中，保持不变的是（）。
10.
交叉存储器实质上是一种多模块存储器，它用（）方式执行多个独立 的读写操作。
热门答案
1.
虚拟存储技术主要解决存储器的（）问题。
2.
计算机中表示地址时使用（）。
3.
计算机的存储器采用分级存储体系的主要目的是（）。
4.
某SRAM芯片，其存储容量为64K×16位，该芯片的地址线和数据线数目为（）。
5.
若片选地址为111时，选定某一32K×16位的存储芯片工作，则该芯片在存储器中的首地址和末地址分别为（）。
6.
某容量为256MB的存储器由若干4M*8位的DRAM芯片构成，该DRAM芯片的地址引脚和数据引脚总数是（）。
7.
下列有关RAM和ROM的叙述中，正确的是（）。Ⅰ．RAM是易失性存储器，ROM是非易失性存储器Ⅱ．RAM和ROM都是采用随机存取的方式进行信息访问Ⅲ．RAM和ROM都可用作CacheⅣ．RAM和ROM都需要进行刷新
8.
某一SRAM芯片，其容量为1024×8位，除电源和接地端外，该芯片引脚的最小数目为（）。
9.
计算机的存储系统是一般指（）。
10.
在按字节编址的计算机中，若数据在存储器中以小端模式存放。假定int型变量i的地址为08000000H，i的机器数为01234567H，地址08000001H单元的内容是（）。