IGBT是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。由N沟道VDMOSFET与双极型晶体管组合而成的IGBT，比VDMOSFET多一层P+注入区，实现对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。简化等效电路表明，IGBT是用GTR与MOSFET组成的达林顿结构，相当于一个由MOSFET驱动的厚基区PNP晶体管。

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A.正确

B.错误

正确答案：A

Tag：电力电子技术晶体管时间：2022-05-09 14:31:12

上一篇：通常主要指绝缘栅型中的MOS型，简称电力MOSFET。电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管。是一种单极型的电压控制全控型器件。特点－－用栅极电压来控制漏极电流，输入阻抗高，驱动电路简单，需要的驱动功率小。开关速度快，工作频率高。热稳定性优于GTR。电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
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