首页
CaF2晶体中,更容易形成()缺陷。
精华吧
→
答案
→
超星尔雅学习通未分类
CaF2晶体中,更容易形成()缺陷。
A.弗连克尔缺陷
B.肖特基缺陷
正确答案:A
Tag:
缺陷
克尔
晶体
时间:2022-04-09 22:42:53
上一篇:
NaCl晶体中,容易形成()缺陷。
下一篇:
在晶格热振动时,一些能量足够大的原子离开平衡位置后,挤到晶格点的间隙位置中,形成间隙原子,而原来位置上形成空位,这种缺陷称为()。
相关答案
1.
在晶体中,离开平衡位置的原子的去处是()。
2.
间隙型固溶体()形成无限固溶体。
3.
硅酸盐熔体中聚合物种类、数量与熔体组成O/Si比有关,O/Si比值降低,则熔体中的()。
4.
对于硅酸盐熔体,以下描述错误的是()。
5.
由于()的结果,必然会在晶体结构中产生“组分缺陷”,组分缺陷的浓度主要取决于()和()。
6.
影响置换型固溶体中溶质离子溶解度的因素有()、()、()和()。
7.
布局FrameLavout是将其中的组件放在自己的()
8.
在XML布局中定义了一个Button,决定Button接钮上显示文字的属性是()
9.
NPN型三极管,处在饱和状态时()。
10.
用直流电压表测得放大电路中某三极管电级1、2、3的电位各为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则1、2、3分别为()。
热门答案
1.
当晶体管工作在放大区时,发射结和集电结应为()。
2.
稳压管正常工作在()。
3.
若三极管工作在放大区,三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V,则此三极管是()。
4.
N型半导体的多数载流子是()
5.
集成运算放大器工作在线性区的分析依据是()
6.
W7912型三端集成稳压器的输出电压为()V
7.
W7824型三端集成稳压器的输出电压为()V
8.
单相桥式整流电容滤波电路,已知变压器次级电压有效值U2=20V,则输出直流电压U0为()V
9.
单相桥式整流电路,已知负载电阻为80Ω,负载电压为110V,则流过每个二极管的电流为()A。
10.
单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值),则每个整流二极管所承受的最大反向电压为()V