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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
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若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
模拟电子技术
沟道
电阻
时间：2022-03-06 20:01:03
上一篇：
处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
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下列直接耦合基本放大电路,（）的输出电阻最小。
相关答案
1.
因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
2.
PN结的主要特点是。
3.
稳压管的稳压区是其工作在（）。
4.
当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（）。
5.
复位后各特殊功能寄存器均被清0。
6.
对于8052单片机，当PC值小于1FFFH时，从片内ROM中取指执行，当PC值超出1FFFH时，从片外扩展ROM中取指执行。
7.
P0口作为准双向I/O接口使用时，不用外加提升电阻。
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P0、P1、P2、P3这四个并行输入/输出接口可以并行输入或输出8位数据，也可以按位使用，即每一根输入/输出线都能独立的用作输入或输出。
9.
8052片内数据存储器的A1H单元既可采用直接寻址方式，又可采用寄存器间接寻址方式。
10.
单片机有4组工作寄存器，同时只用一组，哪一组工作由PSW中的R0、R1两位选择。
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1.
MCS—51单片机的地址总线为16位，所以其片外RAM和程序存储器的寻址范围为64KB。
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8032有6个中断源。
3.
8752有4KB的片内程序存储器。
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8032单片机有3个16位的定时器，分别是T0、T1和T2。
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堆栈指针SP指明栈顶位置，起着管理堆栈的作用。
6.
堆栈是读写存储器RAM中的一个特殊区域，是一组按照“先进先出”的方式工作的，用于暂存信息的存储单元。（）
7.
所谓CPU是指（）
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MCS-51单片机的堆栈区应建立在（）
9.
MCS-51的并行I/O口信息有两种读取方法，一种是读引脚，还有一种是（）
10.
MCS-51的并行I/O口读-改写操作，是针对该口的（）