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场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电;场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
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场效应管和三极管均有多子和少子两种载流子参与导电;场效应管和晶体管的温度稳定性和抗辐射能力相差不大。
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正确答案:错误
Tag:
模拟电子技术
载流子
少子
时间:2022-02-17 19:37:17
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增强型MOS管可以采用自偏压和分压自偏压两种偏置方式。
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场效应管栅极几乎不取电;而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的输入电阻比三极管的输入电阻高。
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结型场效应管通常可采用两种直流偏置电路,即自偏压方式和分压式自偏压电路。
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在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用()构建放大电路可获得更好的放大效果。
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P沟道耗尽型MOS管中,外加电压UGS的极性为()。
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结型场效应管中,外加电压UGS和UDS的极性()。
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P沟道结型场效应管的夹断电压Up为()。
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结型场效应管利用栅源极间所加的()来改变导电沟道的电阻。
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对于增强型N型沟道MOS管,UGS只能为()电压。(填写正/负)
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UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。(填写增强型MOS管/耗尽型MOS管/JFET)
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场效应管用于放大时,应工作在()区。(填写恒流/可变电阻/夹断)
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场效应管放大电路中,共漏极电路具有电压放大能力,输出电压与输入电压反相。
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场效应管放大电路中,共源极电路具有电压放大能力,输出电压与输入电压反相。
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与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳定性好等优点。
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开启电压是耗尽型场效应管的参数;夹断电压是增强型场效应管的参数。
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场效应管放大电路和三极管放大电路的小信号等效模型相同。
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结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏,以保证场效应管的输入电阻很大。
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对于耗尽型MOS管,UGS可以为()。
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跨导gm反映了场效应管()对漏极电流控制能力。
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自偏压电路适用于所有的场效应管。
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场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压式偏置压电路两种类型。
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对于增强型N型沟道MOS管,UGS只能为负,并且只能当UGS小于开启电压时,才能形有漏极电流。