首页
BJT正常放大时，其两个PN结（）
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
BJT正常放大时，其两个PN结（）
A.发射结反偏
B.发射结正偏
C.集电结反偏
D.集电结正偏
正确答案：发射结正偏；集电结反偏
Tag：
模拟电子技术基础
两个
时间：2022-01-09 15:29:08
上一篇：
正常工作的BJT，输出特性曲线分三个区域，它们是（）。
下一篇：
下列说法中，错误的有（）
相关答案
1.
BJT正常放大时，发射结一定是（）
2.
三个引脚电流中有效值最大的是（）
3.
三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（）极的电流实际方向相同。
4.
发射区与（）区是同种类型的半导体。
5.
BJT的三个区，（）的掺杂浓度最低
6.
下面说法正确的有：（）A.图解分析法，可以用于求静态工作点。
7.
下面说法正确的有：（）A.估算法，可以用于求静态工作点。
8.
静态工作点的求解方法有图解分析法和小信号模型分析法。
9.
场效应管的特性曲线有输入特性和输出特性。
10.
下面说法正确的有（）A.对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。
热门答案
1.
场效应管的静态工作点由哪些参数决定。
2.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
3.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态
4.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
5.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
6.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
7.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
8.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
9.
已知放大电路中一只MOS三个极S、G.D的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子
10.
测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。