首页
发射区与（）区是同种类型的半导体。
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
发射区与（）区是同种类型的半导体。
A.基区
B.集电区
C.三个区都一样
D.发射区的类型和其他区都不一样
正确答案：集电区
Tag：
模拟电子技术基础
类型
半导体
时间：2022-01-09 15:29:04
上一篇：
BJT的三个区，（）的掺杂浓度最低
下一篇：
三个引脚电流中，发射极电流的实际方向与（）极的电流实际方向相同。
相关答案
1.
下面说法正确的有：（）A.图解分析法，可以用于求静态工作点。
2.
下面说法正确的有：（）A.估算法，可以用于求静态工作点。
3.
静态工作点的求解方法有图解分析法和小信号模型分析法。
4.
场效应管的特性曲线有输入特性和输出特性。
5.
下面说法正确的有（）A.对于NMOS管共源放大电路，vo波形底部失真为饱和失真，是由于工作轨迹进入了可变电阻区。
6.
场效应管的静态工作点由哪些参数决定。
7.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-1V，VTP=-1.5V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
8.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作状态
9.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=-3V，VGS=-2V，VTP=-1V；其中VTP为增强型PMOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
10.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=-1V，VPN=-2V；其中VPN为耗尽型MOS管的夹断电压；试判断该管工作在什么区域。
热门答案
1.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=1V，VTN=1.5V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
2.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=1V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
3.
测量某MOSFET的漏源电压、栅源电压值，VDS=3V，VGS=2V，VTN=1V；其中VTN为增强型MOS管的开启电压；试判断该管工作在什么区域。
4.
已知放大电路中一只MOS三个极S、G.D的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子
5.
测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=-5V，VG=1V，VD=3V，其开启电压VGS(th)=4V。试分析管子的工作状态。
6.
当工作于饱和区的场效应管，漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）
7.
测得某放大电路中的一个MOS管的三个电极的电位VS=6V，VG=0V，VD=5V，其开启电压VGS(th)=﹣4V。试分析管子的工作状态。
8.
场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制型器件。
9.
对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或零。
10.
P沟道增强型MOS管的开启电压为正值。