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动态半导体的刷新有（）方式
A.分散刷新
B.异步刷新
C.同步刷新
D.集中刷新
正确答案：分散刷新；异步刷新；集中刷新
Tag：
计算机组成原理
半导体
方式
时间：2021-12-29 13:51:31
上一篇：
为了提高存储器的带宽，可以采用的方式有（）
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用（）片4K*1位的存储器芯片可以组成8K*8位的存储器，存储容量扩展方式为（）。
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1.
主存各存储单元的空间位置是由单元地址号来表示的，不同的机器存储字长也不相同，通常用8位二进制数表示一个字节，因此存储字长都取8的倍数。通常计算机系统即可以按字寻址，也可以按字节寻址。如下所示，某机器1的字长为32位，它的每一个存储字包含4个可独立寻址的字节，其地址分配如下图（左）所示。某机器2的字长为16位，字地址是2的整数倍，它用低位字节的地址来表示字地址，如下图（右）所示。以下说法正确的是：（）
2.
以下属于主存基本组成的是（）
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关于存储系统下列说法正确的是（）
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与动态RAM相比，静态RAM的特点有（）
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EPROM是指 （）
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半导体静态RAM进行读/写操作时，必须先接受信号，再接受（）信号和信号。
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DRAM存储器主要通过（）来存储信息
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下列说法错误的是 （）
9.
下图是半导体存储芯片的译码驱动方式中 译码驱动方式（）
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想要组成一个32K*8位存储器，若选用1K*4, 16K*1和2K*8位存储芯片，各需要（）片
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想要组成一个64K*16位存储器，若选用32K*8位存储芯片，需要（）片
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一静态RAM芯片，其容量为1K×4位，除电源和接地端外，该芯片引出线的最少数目为（）
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某一SRAM芯片，其容量为16K*8位，则其数据线和地址线的条数分别为（）
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以下技术指标中，一般与存储器性能不相关的是（）
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下列关于主存存取速度说法错误的是 （）
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主存的实际结构如图所示，根据MAR中的地址访问某个存储单元时，需经过地址译码、驱动等电路，才能找到所需访问的单元。读出时，需经过读出放大器，才能将被选中单元中存储字送到MDR。写入时，MDR中的数据也必须经过写入电路才能真正写入到被选中的单元中。在现代计算机中，通常会将图中的（）制作在CPU芯片中。
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按照在计算机中的作用，存储器可以分为主存储器、辅助存储器和缓冲存储器，下列属于辅助存储器的是（）
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以下存储器构成的体系结构中，存储器存取速度由慢到快的排列顺序是（）
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下列存储器中，CPU不能直接访问的是（）
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计算机的存储系统采用分级方式主要是为了（）