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三极管的反向电流ICBO是由（）运动产生的。
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三极管的反向电流ICBO是由（）运动产生的。
A.多数载流子
B.少数载流子
C.多数载流子和少数载流子
D.不确定
正确答案：少数载流子
Tag：
模拟电子技术
载流子
电流
时间：2021-12-28 14:36:17
上一篇：
晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（）。
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温度升高时，放大电路中的晶体管的输出特性曲线将（）。
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测量得到晶体管三个电极的静态电流分别为0.06mA，3.66mA和3.6mA，晶体管的共射电流放大系数β（）。
2.
3DG6型晶体管的集电极的最大允许电流ICM=20mA，发射极反向击穿电压U(BR)CEO=20V，集电极的最大允许耗散功率PCM=100mW，使用时测得其集电极电流IC=15mA，UCE=10V，则该管（）。
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某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，UBR(CEO)=30V，若其工作电压UCE=10V和UCE=1V时，则工作电流分别不得超过（）。
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温度上升时，半导体三级管的（）。
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晶体管的开关作用是（）。
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PNP型晶体三极管工作在截止区的条件是（）。
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当晶体管工作在截止区，发射结和集电结偏置状态应为（）。
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在实际电路中判别晶体管是否工作在饱和状态，最简单的是测量（）。
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已知某晶体管UBE=0.7V，UCE=3V，则该管工作在（）区。
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对于小功率晶体管，可以用UCE大于1V的一条输入特性曲线来取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。
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某晶体三极管的IB从20μA变化到40μA时，对应的IC从2mA变化到5mA，则该管的β等于（）。
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晶体管的输出特性描述的是当（）为常数时，（）随（）变化的函数。
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管压降UCE增大，共发射极接法的晶体管的输入特性曲线（）。
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晶体管是（）器件。
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晶体管的发射区和集电区均为同种类型的半导体，所以发射极和集电极可以调换使用。
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双极型三极管由两个PN结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
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下列哪个式子正确的描述了晶体管的电流放大能力（）。
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NPN型三极管放大电路中，测得三极管三个引脚对地电位分别是：UA=3.3V，UB=4V，UC=6V，则A.B.C对应的电极是（）。
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在某放大电路中三极管工作在放大状态，测的三极管三个电极的静态电位分别为0V，-10V，-9.3V，则这只三极管是（）。
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双极型晶体管的电流是由（）运动形成的。