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晶体管
晶体管
1.
丙类谐振功放按晶体管是否进入饱和区分,可以分为()、()()、()三种工作状态。
2.
不会使晶体管放大电路中静态工作点变化的因素是()。
3.
关于MOSFET场效应晶体管说法错误的是()。
4.
双极型晶体管和功率MOSFET的复合器件是()。
5.
集成电路总晶体管通常采用什么材料制成()
6.
由NPN晶体管组成的单级共射电压放大器,在正常的输入信号下,若输出电压波形正半周出现了失真,是由于工作点设置偏(),出现的叫()失真。
7.
下列不属于PLC输出点结构的是()
8.
集成MOS晶体管的导电因子k中,比值(W/L)常称为()。
9.
在半导体集成电路中,通常用晶体管来构成二极管,其中()形式的性能最好。
10.
集成双极型晶体管(BJT)设计中,其电流容量ICM正比于()。
11.
目前,最先进的CMOS晶体管特征尺寸已经下降到?
12.
PLC输入电路中将外部信号传送给CPU的关键元件是()
13.
下列光控跟踪技术中采用的传感器,哪种性能最为稳定可靠()
14.
单级晶体管放大电路中,输出波形在最佳状态下的UBE值为0.7V,那么两种失真状态的UBE值与最佳状态的UBE值相比较有怎样的关系()?
15.
目前第四代数控系统采用的元件为()。
16.
晶体管时间续电器比气囊式时间继电器的延时范围()。
17.
某NPN硅管在放大电路中测得各极对地电压分别为UC=12V,UB=4V,UE=0V,由此可判别晶体管()。
18.
如果在NPN型晶体管放大电路中测得发射结正向偏置,集电结也正向偏置,则此管的工作状态为()。
19.
温度升高时,晶体管的β随着温度的升高而()。
20.
若晶体管工作在截止状态,则其发射结、集电结对应的条件是()。
21.
放大电路中某晶体管三个引脚测得的对地电压分别为5V、2V、2.3V,该晶体管的类型是()。
22.
放大电路中某晶体管三个引脚测得的对地电压分别为4V、2V、1.3V,该晶体管的类型是()。
23.
MOS管分为P沟道和N沟道MOS管,P沟道MOS管相当于NPN型晶体三极管,N沟道MOS管相当于PNP型晶体三极管,下面描述正确的是()。
24.
温度升高,晶体管输入特性曲线()。
25.
温度升高,晶体管输出特性曲线()。
26.
温度升高,晶体管的电流放大系数()。
27.
处于放大状态的晶体管,发射极电流是发射区多子扩散运动形成的。()
28.
目前个人计算机中使用的电子器件主要是()。
29.
在放大电路中,若测得某晶体管三个极的电位分别为9V,3.2V,2.5V,则这三个极分别为()。
30.
当晶体晶体管工作在放大区时,其外部条件是什么?
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