简述RTP在集成电路制造中的常见应用。


简述RTP在集成电路制造中的常见应用。

正确答案:1)杂质的快速热激活RTP工艺最具吸引力的的热点之一是晶圆片不用达到热平衡状态,意味着电活性的有效掺杂实际上可以超过固溶度限制。例如,对砷进行数毫秒的退火,它的激活浓度可达到3×1021左右,大约是其固溶度的10倍。因为,在短时间的退火过程中,砷原子没有足够的时间来形成聚团并凝聚成无活性的缺陷。

2)介质的快速热加工快速热氧化(RTO)可以在合适的高温下通过精确控制的气氛来实现短时间生长薄氧层。(干氧方法)RTO生长的氧化层具有很好的击穿特性,电性能上坚固耐用。由于不均匀温度分布产生的晶圆片内的热塑应力影响了RTO的均匀性。若适当冷却反应腔壁,可以用作冷壁工艺,防止腔壁污染后续工艺。3)硅化物和接触的形成快速热处理也经常被用于形成金属硅化物接触,其可以仔细控制硅化反应的温度和环境气氛,以尽量减少杂污染,并促使硅化物的化学配比和物相达到最理想的状态。形成阻挡层金属也是RTP在Si技术中的一个应用,这些导电的阻挡层金属可以阻止硅衬底和用于器件互联的Al基合金之间的互扩散。另外RTP还可以在GaAs工艺中用于接触的形成,淀积一层金锗混合物并进行热退火,可以在N型GaAs材料上形成低阻的欧姆接触。


Tag:工艺 活性 生长 时间:2024-12-17 16:16:24