根据传输线模型，有关场效应晶体管器件源漏接触电阻的说法正确的是（）
根据传输线模型，有关场效应晶体管器件源漏接触电阻的说法正确的是（）
A、与金属的功函数无关
B、源漏接触电极越大，接触电阻一定越小
C、源漏接触金属下方的电流密度不均匀
D、分为长接触极限和短接触极限两种特例
正确答案：CD
根据传输线模型，有关场效应晶体管器件源漏接触电阻的说法正确的是（）
A、与金属的功函数无关
B、源漏接触电极越大，接触电阻一定越小
C、源漏接触金属下方的电流密度不均匀
D、分为长接触极限和短接触极限两种特例
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